碳化硅材料被动氧化机理及转捩温度分析

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碳化硅材料被动氧化机理及转捩温度分析
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CSTR:
                        [cstr]
                    
作者:
                        
                        
                    
作者单位:中国航天空气动力技术研究院,北京100074
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中图分类号:O357.5
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摘要:

对SiC材料的抗氧化性能进行了试验，研究了该材料的氧化机制以及由被动氧化至主动氧化的转捩温度。结果表明，SiC材料在一定的氧分压环境中，表面温度低于转捩温度时，会在表面形成SiO2薄膜，薄膜厚度和时间的平方根成正比。表面温度高于转捩温度时材料发生主动氧化，材料表面发生烧蚀。

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陈思员姜贵庆俞继军欧东斌.碳化硅材料被动氧化机理及转捩温度分析[J].宇航材料工艺,2009,39(3).

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在线发布日期: 2016-11-28
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