烧结温度对Si3N4显微结构及性能的影响
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(1 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安 710049) (2 航天材料及工艺研究所先进功能复合材料技术国防科技重点实验室,北京 100076)

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    基于凝胶分子造孔机理,通过提高凝胶注模工艺中有机单体含量,制备微多孔氮化硅陶瓷,研究了烧结温度对Si3
    N4微多孔陶瓷烧结体的显微结构、强度、气孔率、孔径等方面的影响。结果表明,温度升高有利于β-Si3N4晶相的生成,烧结温度为1680℃时,氮化硅陶瓷烧结体中α-Si3N4和β-Si3N4并存,当烧结温度为1730和1780℃时,氮化硅陶瓷烧结体的晶相全部为β-Si3N4;陶瓷烧结体的孔径均<1μm,而且孔径分布范围较窄、较均匀;随着烧结温度的提高,陶瓷烧结体的强度单调上升而气孔率下降。

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引用本文

余娟丽1 王红洁1 张 健2 严友兰1 乔冠军1.烧结温度对Si3N4显微结构及性能的影响[J].宇航材料工艺,2009,39(5).

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