(SiC)Cf / Si3 N4 复合陶瓷的制备及性能

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(SiC)Cf / Si3 N4 复合陶瓷的制备及性能
DOI:
                        
                    
CSTR:
                        
                    
作者:
                        肖伟玲肖伟玲
中南大学粉末冶金研究院
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作者单位:中南大学粉末冶金研究院
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通讯作者:
中图分类号:TB3
基金项目:

Preparation and Properties for ( SiC) Cf / Si3 N4 Composite

Author:

State Key Laboratory for Powder Metallurgy, Central South University
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摘要:

采用CVD 法制备了SiC 涂层包覆短碳纤维,并通过凝胶注模成型工艺制备了( SiC) Cf / Si3N4 复

合陶瓷,探讨了烧结温度对复合陶瓷中(SiC)Cf 形貌的影响。同时研究了(SiC)Cf 的含量对复合陶瓷力学以及

介电性能的影响,当(SiC)Cf 含量达到10wt%时,样品的抗弯强度比纯Si3N4 陶瓷降低了112 MPa,但断裂韧性

显著提高,增加了11. 5 MPa·m1/2,介电常数实部和虚部达到最大,介电实部约为15 ~18,虚部约为6 ~8;反射

衰减随(SiC)Cf 的含量和厚度的增加而向低频移动。

关键词:SiC,Cf,Si3N4,力学性能,介电性能

引用本文

肖伟玲.(SiC)Cf / Si3 N4 复合陶瓷的制备及性能[J].宇航材料工艺,2015,45(3).

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在线发布日期: 2016-11-28
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