(SiC)Cf / Si3 N4 复合陶瓷的制备及性能

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(SiC)Cf / Si3 N4 复合陶瓷的制备及性能
DOI:
                        
                    
CSTR:
                        [cstr]
                    
作者:
                        
                        
                    
作者单位:中南大学粉末冶金研究院
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中图分类号:TB3
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Preparation and Properties for ( SiC) Cf / Si3 N4 Composite

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摘要:

采用CVD 法制备了SiC 涂层包覆短碳纤维,并通过凝胶注模成型工艺制备了( SiC) Cf / Si3N4 复

合陶瓷,探讨了烧结温度对复合陶瓷中(SiC)Cf 形貌的影响。同时研究了(SiC)Cf 的含量对复合陶瓷力学以及

介电性能的影响,当(SiC)Cf 含量达到10wt%时,样品的抗弯强度比纯Si3N4 陶瓷降低了112 MPa,但断裂韧性

显著提高,增加了11. 5 MPa·m1/2,介电常数实部和虚部达到最大,介电实部约为15 ~18,虚部约为6 ~8;反射

衰减随(SiC)Cf 的含量和厚度的增加而向低频移动。

Abstract:

SiC coating modified Cf by CVD, then fabricated (SiC)Cf / Si3N4 composite by gelcasting. The effect

of (SiC)Cf content toward the mechanical and absorbing properties of the composite were investigated. The flexure

strength of (SiC)Cf / Si3N4 composites reduced 112 MPa compare with Si3N4 ceramic and the fracture toughness increase

11. 5 MPa·m1/2 when the (SiC)Cf content is 10wt%, meanwhile both the real (ε') and imaginary (ε″) permittivity

of (SiC)Cf / Si3N4 composite ceramics reached maximum, the dielectric constant ε' is about 15 to 18 and ε″

is about 6 to 8; the reflectivity of the composites moved to a lower frequency with the (SiC)Cf content and thickness

increased.

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肖伟玲.(SiC)Cf / Si3 N4 复合陶瓷的制备及性能[J].宇航材料工艺,2015,45(3).

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在线发布日期: 2016-11-28
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