摘要:采用CVD 法,1 050益在三维针刺C/ C-SiC 复合材料表面制备SiC 涂层,研究稀释气体与载气流
量比分别为4 颐1 和2 颐1 制备条件下涂层的晶体结构、表面和断面的微观形貌,对比了涂层前后C/ C-SiC 复合
材料的抗烧蚀性能。结果表明:稀释气体流量降低其制备的SiC 涂层更加平整致密,与基体结合程度更好,沉
积产物均为单一的茁-SiC 结晶相。在600 s 的氧化烧蚀下,两种流量比条件下制备CVD-SiC 涂层的C/ C-SiC
复合材料的线烧蚀率比未涂层的分别降低34%和50%,质量烧蚀率分别降低70%和75%,抗氧化烧蚀性能明
显提高。