SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势

首页 > 过刊浏览>2010年第40卷第1期 >

SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势
DOI:
                        
                    
CSTR:
                        [cstr]
                    
作者:
                        
                        
                    
作者单位:西安理工大学机械与精密仪器工程学院; 西安工业大学机电工程学院
作者简介:
通讯作者:
中图分类号:
基金项目:

Situation and Development Trends of CMP for SiC Monocrystal Slice

Author:

Affiliation:

Fund Project:

摘要

图/表

访问统计

参考文献

相似文献

引证文献

资源附件

文章评论

摘要:

综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。

Abstract:

The development of CMP technology for SiC single crystal is described.The progress and problems of CMP for SiC single crystal are reviewed in the paper,the theory of CMP for SiC single crystal and the influence of technical parameters are discussed,then the future prospect of CMP is outlined.

参考文献

相似文献

引证文献

引用本文

肖强; 李言; 李淑娟. SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势[J].宇航材料工艺,2010,40(1).

复制

文章指标

点击次数:
下载次数:
HTML阅读次数:
引用次数:

历史

收稿日期:
最后修改日期:
录用日期:
在线发布日期: 2016-11-28
出版日期:

期刊介绍

编委会

投稿须知

引用本文

分享

文章指标

历史

文章二维码