CVD-Si3N4陶瓷及其复合材料氧化行为研究进展
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

陕西非金属材料工艺研究所,西安,710025

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:


Oxidation Behavior of CVD Si3N4 Ceramic and Its Composite
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    概述了CVD-Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为.Si3N4陶瓷在高温下氧化时,除生成SiO2保护膜外,还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si-O-N化合物层),该层具有优异的抗氧化性能.介绍了两种氧化机制模型,同时分析了温度、杂质等对CVD-Si3N4陶瓷氧化行为的影响.

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

余惠琴%闫联生. CVD-Si3N4陶瓷及其复合材料氧化行为研究进展[J].宇航材料工艺,2003,33(3).

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2016-11-28
  • 出版日期:
文章二维码