低电阻率Si—C—O纤维制备
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国防科技大学

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Preparation of Si-C-O Fiber With Low Resistivity
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    采用将聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解合成制备了si-C-O纤维先驱体聚合物,并对其进行了表征。表明反应体系中聚氯乙烯含量较高时,生成的先驱体聚合物既有聚碳硅烷的结构特征,又具有—CH=CH—共轭结构特征的一(SiCH3H-CH2)n—(CH=CH)m—共聚物。先驱体聚合物经熔融纺丝及NO2不熔化处理,高温烧成制得低电阻率Si—C—O纤维(电阻率小于100Ω.cm),而通过聚碳硅烷制得的SiC纤维电阻率为106Ω.cm。结果表明能够从聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解出发制备低电阻率Si—C—O纤维。

    Abstract:

    Precursor polymers to manufacture Si-C-O fibers are prepared by thermal rearrangement reaction of Polyvinylchloride(PVC) and Polydimethylsilane.The precursor polymers are characterized by element analysis and IR.Test results show that the copolymer —(SiCH3H—CH2 )n—( CH=CH).m— is obtained when high PVC content is added to reactive system.The Si-C-O fibers with low resistivity of 100 Ω·cm are obtained through melt spinning,infusibi-lization and heat treatment of the precusors at high temperature,while SiC fibers with high resistivity of 106Ω·cm may beobtained by polycarbosilanes.

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引用本文

刘军%宋永才%冯春祥.低电阻率Si—C—O纤维制备[J].宇航材料工艺,2001,31(2).

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