不同钝化工艺SiO2薄膜的辐射缺陷
作者:
作者单位:

1.中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆 401332;2.哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨 150000

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通讯作者:

中图分类号:

TN386.1

基金项目:


Radiation Defects of SiO2 Films With Different Passivation Processes
Author:
Affiliation:

1.Chongqing Giga Chip Technology Co., Ltd, Chongqing 401332;2.Material Science and Engineering School, Harbin Institute of Technology,,Harbin 150000

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    摘要:

    为研究不同钝化工艺栅介质用SiO2薄膜的高能电子辐射缺陷特征,采用能量为1 MeV的高能电子在辐照注量为1×1015 e/cm2、5×1015 e/cm2和1×1016e/cm2下对三种不同钝化工艺(I,700 nm SiN + 500 nm PSG;II,1.2 μm SiN;III,700 nm PSG + 500 nm SiN)的SiO2薄膜进行了辐照试验。拉曼光谱和X射线光电子能谱结果表明I和III钝化工艺SiO2薄膜形成了非晶硅及双氧根离子,傅立叶红外光谱结果表明I钝化工艺SiO2薄膜形成缺陷结构未知的A1、A2、B1及B2缺陷;II钝化工艺SiO2薄膜形成A1、B1、及 缺陷;III钝化工艺SiO2薄膜形成A1及B2缺陷。

    Abstract:

    In order to study the characteristic defects of high-energy electron radiation of SiO2 films for gate dielectrics with different passivation processes, high-energy electrons with an energy of 1 MeV are used to irradiated the SiO2 films with three kinds of passivation processes(I,700 nm SiN + 500 nm PSG;II,1.2 μm SiN;III,700 nm PSG + 500 nm SiN) under irradiation fluences of 1×1015 e/cm2,5×1015 e/cm-2,and 1×1016 e/cm2.The results of Raman spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy show that the SiO2 film with I and III passivation process formed amorphous silicon and dioxygen ions. Fourier infrared spectroscopy results show that the SiO2 film with I passivation process formed A1, A2, B1 and B2 defects with unknown defect structure; SiO2 film with II passivation process formed A1, A2, B1 and B1''defects; SiO2 film with III Passivation process formed A1,B1'' and B2 defects.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

盛行,马迎凯,杨剑群.不同钝化工艺SiO2薄膜的辐射缺陷[J].宇航材料工艺,2021,51(5):145-151.

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  • 收稿日期:2021-08-17
  • 最后修改日期:2021-10-12
  • 录用日期:2021-09-24
  • 在线发布日期: 2021-10-26
  • 出版日期: