SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势
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西安理工大学机械与精密仪器工程学院; 西安工业大学机电工程学院

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Situation and Development Trends of CMP for SiC Monocrystal Slice
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    综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。

    Abstract:

    The development of CMP technology for SiC single crystal is described.The progress and problems of CMP for SiC single crystal are reviewed in the paper,the theory of CMP for SiC single crystal and the influence of technical parameters are discussed,then the future prospect of CMP is outlined.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

肖强; 李言; 李淑娟. SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势[J].宇航材料工艺,2010,40(1).

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  • 在线发布日期: 2016-11-28
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第十一届航天复合材料成形与加工工艺技术中心交流会 征文通知

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